2014年2月24日，圣迭戈——美国高通公司（NASDAQ: QCOM）今日宣布，其全资子公司美国高通技术公司与中兴通讯合作

  2014年2月24日，圣迭戈美国高通公司（NASDAQ:QCOM）今日宣布，其全资子公司美国高通技术公司与中兴通讯合作，推出全球首款集成CMOS功率放大器（PA）和天线开关的多模多频段芯片，并首先应用在中兴通讯全新旗舰智能手机GrandSIILTE上。

  美国高通技术公司QFE2320和QFE2340芯片的成功商用标志着移动射频前端技术的一个重大进展，两款芯片借助简化的走线和行业尺寸最小的功率放大器和天线开关，在集成电路上实现前所未有的功能。集成天线多模多频功率放大器（MMMBPA）和集成收发器模式开关的QFE2340高频段MMMBPA，以及首款用于3G/4GLTE移动终端的包络追踪（ET）芯片QFE1100，都是Qualcomm®RF360前端解决方案的关键组件，支持OEM厂商打造用于全球LTE移动网络的单一多模设计。QFE2320和QFE2340的组合能够覆盖所有主要的蜂窝模式，包括LTETDD/FDD、WCDMA/HSPA+、CDMA1x、TD-SCDMA和GSM/EDGE，以及从700MHz到2700MHz的相关射频频段。QFE1100目前已经在全球很多商用智能手机中采用，也将应用于中兴GrandSIILTE。

  美国高通技术公司产品管理副总裁AlexKatouzian表示：“我们的集成功率放大器和天线开关以及高频段功率放大器在中兴GrandSIILTE手机上得到采用，是RF360前端解决方案实施过程中一个令人兴奋的进展。消费者和OEM厂商都将从这些创新的射频解决方案中受益，它们实现了更小的尺寸和更高的能效，并支持全球漫游的LTE终端。”

  中兴通讯对外合作副总裁兼全球高端技术团队负责人王众博士表示：“美国高通技术公司的射频芯片组具有卓越的性能和效率，让我们也可以设计功耗更低且外形更时尚的终端，并能够连接到全球最快的网络上。我们很高兴在GrandSIILTE上采用美国高通技术公司最新RF360前端解决方案中的两款产品，以及高通骁龙800处理器和WTR1625收发器，实现同级最佳的LTE连接和卓越使用者真实的体验。”

  QFE2320和QFE2340采用CMOS制造工艺，能够将各组件更紧密地集成在单一芯片上。在QFE2320中集成功率放大器和天线开关，能够简化走线，减少前端中的射频组件数量，满足更小的印刷电路板（PCB）面积要求所有这些都支持OEM厂商能够以更低的成本打造尺寸更小的终端设计，支持连接到全球主要2G、3G和4GLTE网络所需的广泛射频频段。QFE2340高频段MMMBPA集成收发器模式开关，提供全球首款商用LTE晶片级纳米规模封装（WLNSP）MMMBPA，首次向移动行业引入创新的LTETDD射频前端架构。

  QFE2320和QFE2340目前正向OEM厂商出货，预计今年将在全球更多领先的智能手机上应用。QualcommRF360解决方案中还包括首款用于3G/4GLTE终端的包络追踪芯片QFE1100和可配置天线年实现商用。

  美国高通公司（NASDAQ：QCOM）是全球3G、4G与下一代无线技术的领军企业，包括技术许可业务（QTL）和其绝大部分的专利组合。美国高通技术公司（QTI）为美国高通公司的全资子公司，与其子公司一起运营美国高通公司所有的工程、研发活动以及全部的产品和服务业务，这中间还包括其半导体业务QCT。25年多来，美国高通公司的创想和创新推动了数字通信的演进，将各地的人们与信息、娱乐和彼此之间更紧密地联系在一起。欲知道更多信息，请访问美国高通公司网站，博客和微博。“Qualcomm®”和“Gobi”是美国高通公司（QualcommIncorporated）的商标，已在美国及其他几个国家注册。QualcommGobi是美国高通公司全资子公司美国高通技术公司（QualcommTechnologies,Inc.）的产品。所有美国高通公司的商标均经过使用许可。别的产品或品牌名称可能是其各自所有者的商标或注册商标。

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