“实时无线GHz以上基站布置方面，GaN将逐渐替代LDMOS（横向分散金属氧化物

  ）。GaN长处是更高功率密度及更高截止频率，尤其在5G多输入多输出(Massive MIMO)运用中，可完成高整合性解决方案。我国5G GaN功率放大器芯片经过认证并在2019年正式推出，这将为我国5G建造带来助力。

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  系列产品 /

  规划中的效果 /

  但是，这些根本性的功能改善也对底层射频 (RF) 硬件产生了更大的压力，并提出了更严厉的要求。

  规划中的效果 /

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